Илустрација на принципот на соларни панели
Илустрација на принципот на соларни панели
Сончевата енергија е најдобриот извор на енергија за човештвото, а нејзините неисцрпни и обновливи карактеристики одредуваат дека таа ќе стане најевтиниот и најпрактичниот извор на енергија за човештвото. Соларните панели се чиста енергија без никакво загадување на животната средина. Dayang Optoelectronics се развива брзо во последниве години, е најдинамичното истражувачко поле, а исто така е еден од проектите со највисок профил.
Начинот на изработка на соларни панели главно се заснова на полупроводнички материјали, а неговиот принцип на работа е да користи фотоелектрични материјали за апсорпција на светлосната енергија по реакцијата на фотоелектричната конверзија, според различните употребени материјали, може да се подели на: соларни ќелии на база на силикон и тенки -филмирајте соларни ќелии, денес главно за да разговараме со вас за соларни панели на база на силикон.
Прво, силиконски соларни панели
Принцип на работа и структура на силициумски соларни ќелии Принципот на производство на енергија од соларни ќелии е главно фотоелектричниот ефект на полупроводниците, а главната структура на полупроводниците е како што следува:
Позитивниот полнеж претставува атом на силикон, а негативното полнење претставува четири електрони кои орбитираат околу атом на силикон. Кога силициумскиот кристал се меша со други нечистотии, како што се бор, фосфор итн., кога ќе се додаде бор, ќе има дупка во силициумскиот кристал, а неговото формирање може да се однесува на следната слика:
Позитивниот полнеж претставува атом на силикон, а негативното полнење претставува четири електрони кои орбитираат околу атом на силикон. Жолтата боја го означува инкорпорираниот атом на бор, бидејќи има само 3 електрони околу атомот на бор, така што ќе ја произведе сината дупка прикажана на сликата, која станува многу нестабилна бидејќи нема електрони, а лесно се апсорбираат електроните и се неутрализираат. , формирајќи полупроводник од P (позитивен) тип. Слично на тоа, кога атомите на фосфор се инкорпорирани, бидејќи атомите на фосфор имаат пет електрони, еден електрон станува многу активен, формирајќи полупроводници од N(негативен) тип. Жолтите се фосфорни јадра, а црвените се вишокот електрони. Како што е прикажано на сликата подолу.
Полупроводниците од типот P содржат повеќе дупки, додека полупроводниците од типот N содржат повеќе електрони, така што кога ќе се спојат полупроводниците од типот P и N, ќе се формира разлика на електричен потенцијал на контактната површина, која е PN спојот.
Кога се комбинираат полупроводниците од типот P и N-типот, се формира посебен тенок слој во меѓуфабричниот регион на двата полупроводници), а страната од типот P на интерфејсот е негативно наелектризирана, а страната од типот N е позитивно наелектризирана. Ова се должи на фактот дека полупроводниците од типот P имаат повеќе дупки, а полупроводниците од типот N имаат многу слободни електрони и има разлика во концентрацијата. Електроните во регионот N се дифузираат во регионот P, а дупките во регионот P се дифузираат во регионот N, формирајќи „внатрешно електрично поле“ насочено од N кон P, со што се спречува дифузијата да продолжи. По постигнување на рамнотежа, се формира таков посебен тенок слој за да се формира потенцијална разлика, што е PN спој.
Кога обландата е изложена на светлина, дупките на полупроводникот од N-тип во PN-спојот се движат во регионот P-тип, а електроните во регионот P-тип се движат кон регионот од типот N, што резултира со струја од регионот од типот N до регионот од типот P. Потоа се формира потенцијална разлика во PN спојот, кој го формира напојувањето.